顶点光电子商城2024年7月23日消息：美光MRDIMM（multiplexed rank dual inline memory module，多重访问双列直插式内存模块）正式送样，并宣称可提升带宽39%、降低延迟40%。

           美光MRDIMM作为新一代的内存模组，旨在满足日益严苛的内存需求，特别是在虚拟化多租户、高性能计算（HPC）和人工智能（AI）数据中心等领域。与现有的硅通孔型（TSV）RDIMM相比，MRDIMM在带宽、容量、延迟和每瓦性能等方面均有所提升。

          MRDIMM相较于同代产品，其内存有效带宽可提升多达39%。这一提升将显著提升系统的数据处理能力，加速内存密集型应用的执行。延迟方面，MRDIMM能够降低高达40%的延迟。更低的延迟意味着系统响应更快，能够更好地支持实时处理和高速计算任务。MRDIMM还具备总线效率提高15%以上的优势，这有助于提升系统的整体运行效率。支持从32GB到256GB的容量范围，适用于不同规模的数据中心工作负载。采用标准和高外形（TFF）设计，适用于高性能的1U和2U服务器。TFF模块的改进散热设计能够在相同功率和气流下将DRAM温度降低多达20摄氏度，提升数据中心的冷却效率和系统稳定性。

          MRDIMM主要面向对内存带宽和容量有极高要求的市场，如AI推理、AI再训练和高性能计算等领域。当前送样的MRDIMM系列第一代产品可以与Intel Xeon 6处理器兼容，为客户提供灵活性和选择。此外，MRDIMM还支持标准DIMM，确保与现有服务器基础设施的无缝集成。

           美光MRDIMM现已上市，并计划于2024年下半年开始大量出货。与同代RDIMM相比，后续几代MRDIMM将继续提供高达45%的每通道内存带宽提升，满足未来计算系统对内存性能的不断增长需求。