顶点光电子商城2024年2月27日消息：今日，三星宣布成功开发出业界首款36GB 12层堆叠HBM3E存储芯片。

           这款芯片采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层产品具有与8层HBM芯片相同的高度，以满足当前HBM封装要求。

          与8层堆叠的HBM3产品相比，这款新品在容量和带宽方面都提高了50%以上，带宽高达1280GB/s。同时，由于其容量的增加和带宽的提高，这款芯片能够显著提高人工智能（AI）训练和推理速度。具体来说，与HBM3 8H相比，HBM3E 12H的人工智能训练平均速度可提高34%，用于推理服务支持的用户数量最高可增加11.5倍以上。

           此外，三星还通过降低NCF材料的厚度，实现了业界最小的7微米的芯片间距，进一步提高了产品的垂直整合度。这些技术进步使得HBM3E 12H成为未来使用AI平台的各种公司的最佳解决方案，并有望降低数据中心的总成本（TCO）。

          目前，三星已经开始向客户提供HBM3E 12H的样品，并预计在今年上半年正式量产。这表明三星在持续推动存储技术的发展，以满足市场对于更高容量、更高带宽存储芯片的需求。