顶点光电子商城2023年11月2日消息：近日，宏微科技表示公司SiC二极管已经开发成功，在小批量试用，SiC MOSFET在做最后的验证，年底会有结果。

          SiC二极管是一种由碳化硅（SiC）材料制成的二极管。SiC具有比硅（Si）更高的电子迁移率、更高的禁带宽度和更高的热导率，因此SiC二极管具有更低的导通损耗和开关损耗，更快的开关速度，以及更好的散热性能。

         SiC二极管在电力电子领域有广泛的应用，例如在光伏逆变器、电动汽车、充电桩、UPS等场合都有应用。与传统的硅（Si）二极管相比，SiC二极管具有更高的工作频率、更低的导通损耗和开关损耗、更高的浪涌电流能力等优点。

         SiC MOSFET是碳化硅（SiC）电力电子器件中的一种，也是目前最受关注的电力电子器件之一。SiC是一种由硅（Si）和碳（C）构成的化合物半导体材料，具有高电子迁移率、高禁带宽度和高温稳定性等优点。

          SiC MOSFET的结构与Si MOSFET类似，但是在制作过程中可以控制p型和n型杂质浓度以及漂移层的厚度，从而实现更高的耐压和更低的导通电阻。同时，SiC MOSFET还具有更快的开关速度和更好的散热性能，适用于更高的工作频率和高温环境。

           宏微科技从2015年左右开始做SiC模块，购买国外的芯片进行封装。目前由于光伏的需求提升，公司批量交付SI+SIC混合封装的产品，每月出货量在几万块左右。

           江苏宏微科技有限公司是一家由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产的科技专家组建的高科技企业。公司的业务范围包括设计、研发、生产和销售新型电力半导体芯片、分立器件及模块，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、标准模块及用户定制模块(CSPM)；高效节能电力电子装置的模块化设计、制造及系统的解决方案，如动态节能照明电源、开关电源、UPS、逆变及变频装置等。

           宏微科技致力于打造民族品牌，成为提供绿色高效节能电力电子产品和电力电子系统解决方案的专家。公司是国家高技术产业化示范工程基地，国家IGBT和FRED标准起草单位；江苏省博士后创新基地，江苏省新型高频电力半导体器件工程技术研究中心等。公司的专利数量超过230件，其中发明专利近100件，占比近44%。该公司在功率模块、半导体、覆金属、陶瓷基板、二极管等领域拥有较为丰富的专利布局。