近日，意法半导体官微宣布，公司最近已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT（高电子迁移率晶体管）器件。

           高电子迁移率晶体管是一种特殊类型的场效应晶体管（FET），在射频（RF）和微波应用中具有重要作用。它的特点是能够提供高速、高频的性能，并且在低功耗下表现出色。

          HEMT通常由两个不同材料的半导体层叠而成，其中一个层是高迁移率的电子通道，另一个层则具有较大的带隙。这种结构有助于提高电子迁移率，从而实现较高的电流饱和速度。

           据悉，STPOWER™ GaN晶体管是基于氮化镓(GaN)的高效晶体管，提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。

           意法半导体的G-HEMT器件将加速功率转换系统向GaN宽带隙技术过渡。意法半导体表示，未来，GaN还有望实现新的功率转换拓扑结构，进一步提高能效，并降低功耗。

           HEMT作为一种特殊类型的晶体管，在射频和微波领域具有广泛的应用。随着无线通信和高频技术的不断发展，HEMT可能会继续在这些领域发挥重要作用。

          接下来，意法半导体还将推出新款PowerGaN产品，即车规器件，以及更多的功率封装形式，包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封装。