顶点光电子商城2022年9月5消息：近日，晶盛机电在电话会议上表示，公司已成功生长出行业领先的8英寸碳化硅晶体，并建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线。

         SiC器件的成本主要由衬底、外延、流片和封测等环节形成，衬底在SiC器件成本中占比高达~45%。为了降低单个器件的成本，进一步扩大SiC衬底尺寸，在单个衬底上增加器件的数量是降低成本的主要途径。8英寸SiC衬底将比6英寸在成本降低上具有明显优势。

        SiC器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点，被广泛应用于新能源汽车、轨道交通、光伏、5G通讯等领域。此次研发成功的8英寸SiC晶体，是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破，为大尺寸SiC衬底广泛应用打下基础。

        晶盛机电创建于2006年12月，是国内领先的半导体材料装备和化合物半导体衬底材料制造的高新技术企业，以“打造半导体材料装备领先企业，发展绿色智能高科技制造产业”为使命。目前已形成以光伏半导体装备、蓝宝石材料、碳化硅装备及材料三条业务布局。碳化硅方面，公司的产品主要有碳化硅长晶、抛光、外延设备以及6英寸导电型碳化硅衬底片，同时公司已建设6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，研发产品已通过下游部分客户验证。