顶点光电子商城2022年8月8消息：近日，三星在2022全球闪存峰会（Flash Memory Summit，FMS）上，推出了一系列下一代内存和存储技术。

        在题为“Memory Innovations Navigating the Big Data Era”的主题演讲中，三星重点介绍了推动大数据市场进步的四个技术领域，分别为数据移动、数据存储、数据处理和数据管理，并展示了针对每一个领域的解决方案。

        首先，三星宣布将推出下一代“PB级别”的存储，新的解决方案将允许单个服务器单元打包超过1 PB的存储空间，使得相同占地面积内，以最少的服务器数量大幅度增加存储容量，高服务器利用率也有助于降低功耗。

        其次，三星推出了“Memory-Semantic SSD”，结合了存储和DRAM优势，利用Compute Express Link（CXL）互连技术和内置的DRAM缓存，Memory-Semantic SSD在AI和ML应用程序中可以将随机读取和延迟的表现提高20倍，通过针对性的优化，非常适合越来越多需要快速处理的较小数据集。

       接着三星介绍了其遥测技术，可以从客户SSD内的关键组件收集可读的元数据，以提前检测和预防任何潜在的问题。三星表示，随着SSD在数据中心更广泛地采用，通过高级技术手段进行更可靠、更高效的管理变得愈加重要。

       最后，三星宣布今年5月份推出的业界首款UFS 4.0闪存解决方案计划在本月进入量产阶段。作为全球主要的手机零部件供应商，三星相信UFS 4.0闪存很快会出现在各个品牌的新一代旗舰手机上，之后还会用于汽车、AR和VR等应用场景。三星还透露两款企业级SSD已进入量产阶段，分别是PM1743和PM1653，前者是业界首款PCIe 5.0 SSD，后者是首款24G SAS SSD。此外，三星还强调了其SmartSSD 与CXL DRAM 产品线，目的是在于避免当前闪存和储存架构中的瓶颈。

       7月7日，三星电子正式公布第二季度财报。数据显示，三星该季度销售额为77万亿韩元(约合人民币3957.8亿元)，同比增长20.94%；营业利润14.0万亿韩元（约合人民币719.6亿元），同比增长11%，此前市场预期为14.6万亿韩元。

       今年下半年，由于三星宣布量产3nm工艺，三星的芯片业务应该还有利润增长点。三星量产的是基于GAA晶体管（Gate-All-Around FET，全环绕栅极）结构的3nm工艺，放弃了之前的FinFET架构。三星方面表示，该工艺功耗降低50%，性能提升30%，面积减少了35%，整体表现更好。