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  • 硅PIN光电二极管
  • 330 至 1000 nm
  • 感光面积:φ0.79 mm
  • 灵敏度:0.52 A/W
  • 340 至 1100 nm
  • 感光面积:30 × 3 mm
  • 灵敏度:0.66 A/W
  • Si 雪崩光电二极管
  • 850 至 950 nm
  • 感光面积:φ0.5 mm
  • 400 至 1100 nm
  • 感光面积:φ0.2 mm
  • 400 至 1000 nm
  • Si 光电二极管
  • 190 至 1000 nm
  • 感光面积:Φ0.8
  • 灵敏度:0.38 A/W
  • 216 至 224 nm
  • 感光面积:1.1 × 1.1 mm
  • 灵敏度:0.006 A/W
  • 感光面积:28 × 28 mm
  • InAsSb光伏探测器
  • 感光面积:0.7×0.7 mm
  • 灵敏度:0.0032、0.0032 A/W
  • InGaAs 光电二极管阵列
  • 0.9 to 1.7 μm
  • 灵敏度:0.95 A/W
  • 320 to 1000 nm
  • 感光面积:2.8 × 2.4 mm
  • 灵敏度:0.4 A/W
  • 320 to 730 nm
  • 灵敏度:0.3 A/W
  • 320 to 1100 nm
  • 灵敏度:0.58 A/W
  • 480 to 660 nm
  • 感光面积:1.3 × 1.3 mm
  • Si PIN光电二极管
  • 感光面积:φ3.6 mm
  • 感光面积:2.8x2.4 mm
  • Si硅光电二极管
  • 灵敏度:0.42A/W
  • InGaAs 光电二极管
  • 感光面积:φ1.0 mm
  • 感光面积:φ3.0 mm
  • 感光面积:φ2.0 mm
  • 感光面积:φ5.0 mm
  • 380 to 1100 nm
  • 感光面积:φ5.8 mm
  • 制冷:Non-cooled
  • 灵敏度:0.64A/W
  • 400 to 1000 nm
  • 感光面积:φ2.77 mm
  • 灵敏度:0.7A/W
  • 热电堆探测器(单象元型)
  • 光谱响应:1.1μm~
  • 灵敏度:0.36A/W~0.4A/W
  • 850 to 950 nm
  • 波长:1200nm
  • 功率:9.2mW
  • 波长:780nm
  • 功率:24mW
  • 光谱响应:8~14μm
  • 波长:610nm
  • 功率:8mW
  • 波长:395nm
  • 功率:18mW
  • 波长:385nm
  • 400 to 1150 nm
  • 0.9 to 2.6 μm
  • 灵敏度:1.3 A/W
  • 带前置放大器的红外探测器模块
  • 内置传感器:Photon drag
  • 内置传感器:InSb
  • 制冷:Liquid nitrogen
  • 制冷:TE-cooled
  • 内置传感器:InGaAs (G12183-030 chip)
  • 内置传感器:InGaAs (G12183-010 chip)
  • 内置传感器:InGaAs
  • 内置传感器:InAs
  • 内置传感器:InAsSb
  • 双色探测器
  • 0.32 to 1.7 μm
  • 0.32 to 2.6 μm
  • 0.32 to 1.67 μm
  • 制冷:One-stage TE-cooled
  • 0.32 to 2.57 μm
  • 0.32 to 1.65 μm
  • 0.9 to 2.55 μm
  • 0.9 to 1.85 μm
  • InSb光伏探测器
  • 光敏面尺寸:0.25 x 1.4 mm
  • 灵敏度:2.5 A/W
  • 光敏面尺寸:0.45 x 0.45 mm
  • 光敏面尺寸:φ0.6 mm
  • 光敏面尺寸:φ1 mm
  • 光敏面尺寸:φ2 mm
  • 感光面积:φ1 mm
  • 灵敏度:0.8 A/W
  • 灵敏度:0.0045 A/W
  • 灵敏度:0.0023 A/W
  • 灵敏度:0.0023, 0.003 A/W
  • 灵敏度:0.003 A/W
  • 灵敏度:0.0031 A/W
  • 灵敏度:3.9 / BPF, 4.26 / BPF μm
  • 感光面积:1×1 mm
  • 灵敏度:0.002 A/W
  • 感光面积:2×2 mm
  • 灵敏度:0.008 A/W
  • 灵敏度:0.0037 A/W
  • InSb光电导探测器
  • 感光面积:1 x 1 mm
  • 光灵敏度:10 V/W
  • 光灵敏度:50 V/W
  • 感光面积:0.5 x 0.5 mm
  • 光灵敏度:2500 V/W
  • 0.32 to 5.3 μm
  • 光敏面尺寸:φ3 mm
  • 光灵敏度:650 V/W
  • 光谱响应:3~5μm
  • 光谱响应:4.45μm
  • 光谱响应:4.3μm
  • 感光面积:2 x 2 mm
  • 光灵敏度:150 V/W
  • 热电堆探测器(双象元型)
  • 感光面积:1.2 x 1.2 mm
  • InGaAs 雪崩光电二极管
  • 950 to 1700 nm
  • 感光面积:φ0.04 mm
  • 感光面积:φ0.1 mm
  • 带放大器的Si光电二极管阵列
  • 200 to 1000 nm
  • 像素间距:0.8 mm
  • 像素间距:0.4 mm
  • 像素间距:0.2 mm
  • 感光面积:5 mm
  • 感光面积:3 mm
  • 感光面积:φ5 mm
  • 感光面积:φ3 mm
  • 感光面积:φ1.5 mm
  • 感光面积:φ2 mm
  • 感光面积:φ10 mm
  • 400 to 1100 nm
  • 440 to 1100 nm
  • 350 to 1000 nm
  • 感光面积:0.7 ×2.0 mm
  • Si 雪崩光电二极管阵列
  • 感光面积:φ1.6 mm
  • 雪崩光电二极管模块
  • 类型:High-sensitivity type
  • 类型:Short wavelength type
  • 类型:Near infrared type
  • 类型:High-speed type
  • Si硅光电二极管阵列
  • 像元个数:2-segment
  • 像元个数:4-segment
  • 190 to 1000 nm
  • 920 nm
  • 像元个数:16
  • 像元个数:46
  • 像元个数:35
  • 190 to 1100 nm
  • 340 to 1100 nm
  • 感光面积:φ1.3 mm
  • 灵敏度:0.3A/W~0.35A/W
  • 灵敏度:0.56A/W~0.6A/W
  • 感光面积:φ4.1 mm
  • 灵敏度:0.5A/W
  • 灵敏度:0.7 A/W
  • 像元个数:64
  • 16象元硅光电二极管阵列
  • 硅带探测器
  • 像元个数:6
  • 灵敏度:0.68 A/W
  • 感光面积:φ2.4 mm
  • 感光面积:φ1.1 mm
  • 340 to 1000 nm
  • 灵敏度:0.41A/W~0.45A/W
  • 感光面积:5.9x1.1 mm
  • 灵敏度:0.46A/W~0.5A/W
  • 感光面积:1.1x1.1 mm
  • 感光面积:φ18 mm
  • 灵敏度:0.51A/W~0.55A/W
  • 感光面积:φ7.98 mm
  • 感光面积:φ11.3 mm
  • 感光面积:3.9X4.6 mm
  • 感光面积:1.1X5.9 mm
  • 340 to 1200 nm
  • 感光面积:29.1x1.2 mm
  • 感光面积:1.2x29.1 mm
  • 760 to 1100 nm
  • 灵敏度:0.56 A/W
  • 灵敏度:0.48 A/W
  • 320 to 1060 nm
  • 灵敏度:0.54 A/W
  • 灵敏度:0.65 A/W
  • 360 to 1120 nm
  • 像素间距:1.6 mm
  • 灵敏度:0.72 A/W
  • 感光面积:2.8×2.4 mm
  • 灵敏度:0.6A/W
  • 感光面积:φ1.2 mm
  • 灵敏度:0.55 A/W
  • 0.9 to 1.65 μm
  • 灵敏度:1.1 A/W
  • 0.9 to 1.67 μm
  • 感光面积:φ7 mm
  • 感光面积:φ0.4 mm
  • 灵敏度:0.42 A/W
  • 感光面积:φ0.8 mm
  • 感光面积:5.5×4.8 mm
  • 700 to 1100 nm
  • 感光面积:φ14 mm
  • 灵敏度:0.55A/W
  • 0.5 to 1.7 μm
  • 灵敏度:1 A/W
  • 感光面积:11×6 mm
  • 感光面积:10×2 mm
  • 0.9 to 1.87 μm
  • 0.9 to 1.9 μm
  • 感光面积:2×3.3 mm
  • 7660 to 1100 nm
  • 灵敏度:0.06 A/W
  • 灵敏度:0.2A/W~0.25A/W
  • 灵敏度:0.28 A/W
  • 灵敏度:0.25 A/W
  • 0.9 to 2.1 μm
  • 灵敏度:1.2 A/W
  • 0.9 to 2.07 μm
  • 0.9 to 2.05 μm
  • 灵敏度:0A/W~0.1A/W
  • 330 to 1040 nm
  • 灵敏度:0.66A/W~0.7A/W
  • 340 to 1040 nm
  • 灵敏度:0.51 A/W
  • 0.9 to 2.57 μm
  • 感光面积:φ1.06 mm
  • 灵敏度:0.60 A/W
  • 感光面积: 6×7.6 mm
  • 灵敏度:0.64 A/W
  • 感光面积: 8.9×10.1 mm
  • 感光面积:2.7×15 mm
  • 感光面积:15×16.5 mm
  • 感光面积:φ6.0 mm
  • 灵敏度:-25.5 到+1 dBm
  • 灵敏度: -25.5到 +1 dBm
  • 感光面积:1.8 × 2.1 mm
  • 感光面积:4.5x4.5 mm
  • 灵敏度:0.61A/W~0.65A/W
  • 感光面积:φ2.5 mm
  • 感光面积:φ7.05 mm
  • 380 to 1000 nm
  • 感光面积:φ9.5 mm
  • 感光面积:φ28 mm
  • 感光面积:20×10 mm
  • 感光面积:φ48 mm
  • 光电二极管模块
  • 光敏面尺寸:2.4 × 2.4 mm
  • 光敏面尺寸:5.8 × 5.8 mm
  • 光敏面尺寸:10 × 10 mm
  • 感光面积:φ9 mm
  • 500 to 1700 nm
  • 光敏面尺寸:Φ1 mm
  • 光敏面尺寸:Φ3 mm
  • - to 5300 nm
  • 光敏面尺寸:0.7 × 0.7 mm
  • 感光面积:0.88 × 0.88 mm
  • 灵敏度:0.63 A/W
  • 320 to 2600 nm
  • 光敏面尺寸:2.4 × 2.4 (Si), φ1 (InGaAs) mm
共有536项符合筛选条件
自营库存 商品名称 型号规格 梯度 价格 操作
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滨松硅(Si)光电二极管阵列

16象元硅光电二极管阵列S12858-324

品牌:滨松光子

型号:S12858-324

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滨松硅(Si)光电二极管阵列

16象元硅光电二极管阵列S12363-121

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型号:S12363-121

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滨松硅(Si)光电二极管阵列

16象元硅光电二极管阵列S12363-021

品牌:滨松光子

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滨松硅(Si)光电二极管阵列

16象元硅光电二极管阵列S12362-421

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滨松硅(Si)光电二极管阵列

16象元硅光电二极管阵列S12362-321

品牌:滨松光子

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16象元硅光电二极管阵列S12362-121 加入收藏

滨松硅(Si)光电二极管阵列

16象元硅光电二极管阵列S12362-121

品牌:滨松光子

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16象元硅光电二极管阵列S12362-021 加入收藏

滨松硅(Si)光电二极管阵列

16象元硅光电二极管阵列S12362-021

品牌:滨松光子

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滨松硅(Si)光电二极管阵列

16象元硅光电二极管阵列S12363-421

品牌:滨松光子

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滨松硅(Si)光电二极管阵列

16象元硅光电二极管阵列S11299-121

品牌:滨松光子

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Si PIN光电二极管阵列S14833 加入收藏

滨松硅(Si)光电二极管阵列

Si PIN光电二极管阵列S14833

品牌:滨松光子

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