商品名称：铟镓砷InGaAs线阵图像传感器 G11620-512DA
商品型号：G11620-512DA
品牌：滨松光子
封装规格：Ceramic
商品类别：
二级分类：滨松InGaAs铟镓砷图像传感器
商品批号：
货期：4个月
商品编号：
商品重量：0.1kg
库存数量：1000 个
单价：
铟镓砷InGaAs线阵图像传感器 G11620-512DA
线阵（512像素）近红外（0.95 to 1.7 μm）图像传感器
G11620系列是为近红外多通道光谱仪而设计的铟镓砷线阵图像传感器。CMOS芯片内部包含电荷放大器、移位寄存器和时序产生器。与包括两片CMOS信号处理芯片的传统铟镓砷线性图像传感器不同，G11620系列通过将CMOS芯片与铟镓砷二极管阵列凹凸连接只使用一个CMOS芯片。这种结构降低了奇数像素和偶数像素间通常存在的视频输出差异。电荷放大阵列是把铟镓砷二极管阵列的每个像素和CMOS晶体管连接而形成的。
每个像素的信号在电荷积分模式下读出，因此获得了近红外波段的高灵敏度和工作稳定性。CMOS芯片上的信号处理电路可以通过对外电压来选择两种等级的转换效率，以满足不同的应用需要。
产品特性
● 低噪声，低暗电流
● 两种转换率可选
● 抗饱和电路
● CDS电路
● 内置温度传感器
● 操作简单（通过内置时序产生器）
● 高分辨率:25μm 间距
| 图像尺寸 | 12.8 x 0.5 mm |
| 像素尺寸 | 25 x 500 μm |
| 像素间距 | 25 μm |
| 总像素个数 | 512 |
| 封装 | Ceramic |
| 帧频 (最大值) | 9150 lines/s |
| 制冷方式 | Non-cooled |
| 光谱响应范围 | 950 to 1700 nm |
| 暗电流（最大值） | 5 pA |
| 测试条件 | unless otherwise noted, Typ. Ta=25 ℃,Vdd=5 V,INP=Vinp=PDN=4 V,Fvref=1.2V,Vφ=5V,f=1 MHz |
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答：部分商品可以直接下单，但考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，请您直接联系商城客服，您也可以点击询价或提交BOM单，我们将会与您联系并给出对应的解决方案。
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4.我可以通过BOM单进行询价吗？
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