商品名称:TOSHIBA 东芝 存储器 存储芯片 TC58NVG0S3ETA00
商品型号:TC58NVG0S3ETA00
品牌:TOSHIBA 东芝
封装规格:TSOP
商品类别:
二级分类:存储器
商品批号:0949+
货期:
商品编号:
商品重量:0.1kg
库存数量:10000 个
单价:
TOSHIBA 东芝 存储器 存储芯片 TC58NVG0S3ETA00产品描述:
TC58NVG0S3ETA00是单个3.3V 1 Gbit(1,107,296,256位)NAND电可擦除和可编程只读存储器(NAND E2PROM)组织为(2048 + 64)字节×64页×1024块。该器件有两个2112字节的静态寄存器,允许程序和读取数据在两者之间传输寄存器和存储器单元阵列以2112字节为增量。擦除操作在单个块中实现单位(128千字节+ 4千字节:2112字节×64页)。TC58NVG0S3E是一种串行型存储器件,它利用I / O引脚来存储地址和数据输入/输出以及命令输入。擦除和程序操作会自动执行该设备最适合应用,如固态文件存储,录音,图像文件存储器等相机和其他需要高密度非易失性存储器数据存储的系统。
TOSHIBA 东芝 存储器 存储芯片 TC58NVG0S3ETA00产品特征:
•组织
X8
存储单元阵列2112×64K×8
注册2112×8
页面大小2112字节
块大小(128K + 4K)字节
•模式
读取,复位,自动页面编程,自动块擦除,状态读取,页面复制,
多页程序,多块擦除,多页复制,多页读取
•模式控制
串行输入/输出
命令控制
•有效块数
最少1004个街区
最多1024块
• 电源
VCC = 2.7V至3.6V
•访问时间
单元阵列最多可注册25μs
串行读取周期25 ns min(CL = 100pF)
•编程/擦除时间
自动页面编程300μs/页面典型。
自动块擦除2.5 ms /块典型值。
•工作电流
读取(25 ns周期)最大30 mA。
程序(平均)最大30 mA
擦除(平均)最大30 mA
待机最大50μA
•包装
TSOP I 48-P-1220-0.50(重量:0.53克典型值)
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1.平台上看到的库存、价格准确吗?
答:部分商品可以直接下单,但考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,请您直接联系商城客服,您也可以点击询价或提交BOM单,我们将会与您联系并给出对应的解决方案。
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